Eine wesentliche Herausforderung bei der EUV-Lithografie ist es, Licht mit der extrem kurzen Wellenlänge von 13,5 Nanometer zu erzeugen. Um die Herausforderung zu veranschaulichen: Wollte man EUV-Licht ohne Laser herstellen, bräuchte man fußballfeldgroße Teilchenbeschleuniger.

Eine wesentliche Herausforderung bei der EUV-Lithografie ist es, Licht mit der extrem kurzen Wellenlänge von 13,5 Nanometer zu erzeugen. Die EUV-Quelle muss dabei einige hundert Watt Lichtleistung erreichen. Das klingt im ersten Moment vielleicht wenig, tatsächlich ist EUV aber eine äußerst schwierig herstellbare Lichtsorte. Um die Herausforderung zu veranschaulichen: Wollte man EUV-Licht ohne Laser herstellen, bräuchte man fußballfeldgroße Teilchenbeschleuniger.

Also zurück zum Laser: Die Idee hinter dem laserbasierten Herstellungsverfahren liest sich relativ simpel: Ein Zinngenerator schießt 50.000 Zinntropfen pro Sekunde (!) in eine Vakuumkammer, während ein Laserpuls die vorbeirauschenden Tropfen trifft. Bei diesem Hightech-Tontaubenschießen entsteht im Vakuum ein Plasmablitz mit der gewünschten Wellenlänge von 13,5 Nanometer. Im Anschluss fängt ein Kollektor das vom Plasma emittierte EUV-Licht ein, bündelt und übergibt es schließlich an das Lithografiesystem zur Belichtung des Wafers. Um diesen Laserpuls zu erzeugen, hat TRUMPF eine einzigartige Strahlquelle auf Basis seiner CO2-Lasertechnologie entwickelt. Der sogenannte TRUMPF Laser Amplifier verstärkt einen schwachen Laserpuls in fünf Verstärkerstufen um mehr als das 10.000-Fache auf über 30 Kilowatt mittlere Leistung, mit einer Pulsspitzenleistung von einigen Megawatt!

Mehr erfahren: https://www.trumpf.com/de_DE/magazin/lichtblitze-im-vakuum/